Стоимость системы хранения энергии в основном состоит из батарей и инверторов хранения энергии. Сумма этих двух затрат составляет 80% стоимости электрохимической системы хранения энергии, из которых на инвертор хранения энергии приходится 20%. Биполярный кристалл с изолирующей решеткой IGBT является исходным материалом инвертора накопления энергии. Производительность IGBT определяет производительность инвертора накопления энергии и составляет 20–30% стоимости инвертора.
Основная роль IGBT в области хранения энергии — трансформатор, преобразование частоты, интерволюционное преобразование и т. д., что является незаменимым устройством в приложениях хранения энергии.
Рисунок: Модуль IGBT
Исходные материалы для хранения энергии включают IGBT, емкость, сопротивление, электрическое сопротивление, печатные платы и т. д. Среди них IGBT по-прежнему в основном зависит от импорта. По-прежнему существует разрыв между отечественными IGBT на технологическом уровне и ведущим мировым уровнем. Однако с быстрым развитием индустрии хранения энергии в Китае ожидается, что процесс доместикации IGBT также ускорится.
Ценность приложения для хранения энергии IGBT
По сравнению с фотоэлектрическими, ценность IGBT для хранения энергии относительно высока. Для хранения энергии используется больше IGBT и SIC, включая два канала: DCDC и DCAC, включая два решения, а именно интегрированную систему оптического хранения и отдельную систему хранения энергии. Независимая система хранения энергии, количество силовых полупроводниковых приборов примерно в 1,5 раза превышает количество фотоэлектрических. В настоящее время на оптические накопители может приходиться более 60-70%, а на отдельные системы хранения энергии — 30%.
Рисунок: Модуль BYD IGBT
IGBT имеет широкий спектр прикладных уровней, что более выгодно, чем MOSFET в инверторе хранения энергии. В реальных проектах IGBT постепенно заменил MOSFET в качестве основного устройства фотоэлектрических инверторов и ветрогенераторов. Быстрое развитие новой отрасли производства электроэнергии станет новой движущей силой для индустрии IGBT.
IGBT является основным устройством для преобразования и передачи энергии.
IGBT можно полностью понимать как транзистор, который управляет электронным двусторонним (многонаправленным) потоком с помощью управления клапаном.
IGBT представляет собой композитный силовой полупроводниковый прибор с полным управлением напряжением, состоящий из биполярного триода BJT и полевой трубки с изолирующей сеткой. Преимущества двух аспектов падения давления.
Рисунок: Принципиальная схема структуры модуля IGBT.
Функция переключения IGBT заключается в формировании канала путем добавления положительного напряжения к напряжению затвора для подачи базового тока на PNP-транзистор для управления IGBT. И наоборот, добавьте обратное напряжение на двери, чтобы устранить канал, пропустить обратный ток базы и выключить IGBT. Метод управления IGBT в основном такой же, как и у MOSFET. Ему нужно только управлять входным полюсом N одноканального МОП-транзистора, поэтому он имеет высокие характеристики входного импеданса.
IGBT является основным устройством преобразования и передачи энергии. Он широко известен как «ЦП» электрических электронных устройств. Будучи новой национальной стратегической отраслью, она широко используется в новом энергетическом оборудовании и других областях.
IGBT имеет множество преимуществ, включая высокий входной импеданс, низкую управляющую мощность, простую схему управления, высокую скорость переключения, большой ток в состоянии, пониженное отводящее давление и небольшие потери. Таким образом, он имеет абсолютные преимущества в нынешних рыночных условиях.
Таким образом, IGBT стал наиболее распространенным на современном рынке силовых полупроводников. Он широко используется во многих областях, таких как производство новой энергии, электромобили и зарядные станции, электрифицированные суда, передача постоянного тока, накопление энергии, промышленное электрическое управление и энергосбережение.
Фигура:ИнфинеонБТИЗ-модуль
Классификация БТИЗ
В соответствии с различной структурой продукта, IGBT бывает трех типов: однотрубный, модуль IGBT и интеллектуальный силовой модуль IPM.
(загрузочные сваи) и других областях (в основном такие модульные изделия продаются на современном рынке). Интеллектуальный силовой модуль IPM в основном широко используется в бытовой технике, такой как инверторные кондиционеры и стиральные машины с преобразованием частоты.
В зависимости от напряжения сценария применения IGBT имеет такие типы, как сверхнизкое напряжение, низкое напряжение, среднее напряжение и высокое напряжение.
Среди них IGBT, используемый в новых энергетических транспортных средствах, промышленном управлении и бытовой технике, в основном имеет среднее напряжение, в то время как железнодорожный транспорт, производство новой энергии и интеллектуальные сети предъявляют более высокие требования к напряжению, в основном с использованием высоковольтных IGBT.
IGBT чаще всего появляется в виде модулей. Данные IHS показывают, что соотношение модулей и одной трубки составляет 3: 1. Модуль представляет собой модульный полупроводниковый продукт, изготовленный из чипа IGBT и FWD (непрерывного диодного чипа) с помощью специального моста, а также пластиковых рамок, подложек и подложек. , и т. д.
Mситуация на рынке:
Китайские компании быстро растут и в настоящее время зависят от импорта.
В 2022 году объем производства IGBT-индустрии моей страны составил 41 миллион, спрос - около 156 миллионов, а уровень самообеспеченности - 26,3%. В настоящее время внутренний рынок IGBT в основном занят зарубежными производителями, такими как Yingfei Ling, Mitsubishi Motor и Fuji Electric, среди которых наибольшая доля приходится на Yingfei Ling, составляющую 15,9%.
Рынок модулей IGBT CR3 достиг 56,91%, а общая доля отечественных производителей Star Director и CRRC эпохи 5,01% составила 5,01%. Доля мирового рынка сплит-устройств IGBT трех крупнейших производителей достигла 53,24%. Отечественные производители вошли в десятку крупнейших мировых производителей IGBT-устройств с долей рынка 3,5%.
IGBT чаще всего появляется в виде модулей. Данные IHS показывают, что соотношение модулей и одной трубки составляет 3: 1. Модуль представляет собой модульный полупроводниковый продукт, изготовленный из чипа IGBT и FWD (непрерывного диодного чипа) с помощью специального моста, а также пластиковых рамок, подложек и подложек. , и т. д.
Mситуация на рынке:
Китайские компании быстро растут и в настоящее время зависят от импорта.
В 2022 году объем производства IGBT-индустрии моей страны составил 41 миллион, спрос - около 156 миллионов, а уровень самообеспеченности - 26,3%. В настоящее время внутренний рынок IGBT в основном занят зарубежными производителями, такими как Yingfei Ling, Mitsubishi Motor и Fuji Electric, среди которых наибольшая доля приходится на Yingfei Ling, составляющую 15,9%.
Рынок модулей IGBT CR3 достиг 56,91%, а общая доля отечественных производителей Star Director и CRRC эпохи 5,01% составила 5,01%. Доля мирового рынка сплит-устройств IGBT трех крупнейших производителей достигла 53,24%. Отечественные производители вошли в десятку крупнейших мировых производителей IGBT-устройств с долей рынка 3,5%.
Время публикации: 08 июля 2023 г.
