С профессиональной точки зрения процесс производства чипа чрезвычайно сложен и утомителен.Однако полная производственная цепочка ИС в основном разделена на четыре части: проектирование ИС → производство ИС → упаковка → тестирование.
Процесс производства чипа:
1. Конструкция чипа
Чип представляет собой изделие небольшого объема, но чрезвычайно высокой точности.Чтобы сделать чип, дизайн — это первая часть.Для проектирования требуется помощь проектировщика микросхемы, необходимого для обработки с помощью инструмента EDA и некоторых IP-ядер.
Процесс производства чипа:
1. Конструкция чипа
Чип представляет собой изделие небольшого объема, но чрезвычайно высокой точности.Чтобы сделать чип, дизайн — это первая часть.Для проектирования требуется помощь проектировщика микросхемы, необходимого для обработки с помощью инструмента EDA и некоторых IP-ядер.
3. Силикон-лифтинг
После отделения кремния от оставшихся материалов отказываются.Чистый кремний после нескольких этапов достиг качества полупроводникового производства.Это так называемый электронный кремний.
4. Слитки кремния для литья.
После очистки кремний следует отлить в кремниевые слитки.Монокристалл кремния электронного качества после отливки в слиток весит около 100 кг, а чистота кремния достигает 99,9999%.
5. Обработка файлов
После отливки кремниевого слитка весь кремниевый слиток необходимо разрезать на части, которые представляют собой пластину, которую мы обычно называем пластиной, которая очень тонкая.Впоследствии пластину полируют до идеального состояния, и поверхность становится гладкой, как зеркало.
Диаметр кремниевых пластин составляет 8 дюймов (200 мм) и 12 дюймов (300 мм).Чем больше диаметр, тем ниже стоимость одного чипа, но выше сложность обработки.
5. Обработка файлов
После отливки кремниевого слитка весь кремниевый слиток необходимо разрезать на части, которые представляют собой пластину, которую мы обычно называем пластиной, которая очень тонкая.Впоследствии пластину полируют до идеального состояния, и поверхность становится гладкой, как зеркало.
Диаметр кремниевых пластин составляет 8 дюймов (200 мм) и 12 дюймов (300 мм).Чем больше диаметр, тем ниже стоимость одного чипа, но выше сложность обработки.
7. Затмение и инжекция ионов
Во-первых, необходимо подвергнуть коррозии оксид кремния и нитрид кремния, выставленные снаружи фоторезиста, и выделить слой кремния для изоляции между кристаллической трубкой, а затем использовать технологию травления, чтобы обнажить нижний кремний.Затем введите бор или фосфор в кремниевую структуру, затем заполните медь для соединения с другими транзисторами, а затем нанесите на нее еще один слой клея, чтобы создать слой структуры.Обычно чип содержит десятки слоев, похожих на плотно переплетенные магистрали.
7. Затмение и инжекция ионов
Во-первых, необходимо подвергнуть коррозии оксид кремния и нитрид кремния, выставленные снаружи фоторезиста, и выделить слой кремния для изоляции между кристаллической трубкой, а затем использовать технологию травления, чтобы обнажить нижний кремний.Затем введите бор или фосфор в кремниевую структуру, затем заполните медь для соединения с другими транзисторами, а затем нанесите на нее еще один слой клея, чтобы создать слой структуры.Обычно чип содержит десятки слоев, похожих на плотно переплетенные магистрали.
Время публикации: 08 июля 2023 г.